Integration of III-nitrides with Silicon MEM Technology

admin Last updated on: May 8, 2023

Integration of III-nitrides with Silicon MEM Technology

    Research includes:

  • Buffer layer development for GaN growth on Si(111) and Si (100)

  • Mask and etches for GaN/Si

  • Evaluation of GaN peizoelectric sensor properties

    Support of AEA Technology is gratefully acknowledged

    Cantilever test structure for accelerometer

Previous slide Next slide Back to first slide View graphic version

Related posts

Bật mí U23 đội tuyển việt nam cầu thủ nào cao nhất

Bật mí U23 đội tuyển việt nam cầu thủ nào cao nhất

Đội tuyển việt nam cầu thủ nào cao nhất? Với tầm vóc vượt trội của các chàng trai không...

Gallium Nitride

Gallium Nitride

This Years Sterling Lecture: Gallium Nitride Probably the most important new electronic material since silicon Can have GaN LEDs...

GaN Electronic Devices

GaN Electronic Devices

GaN Electronic Devices Market in 2000 = $0 Market in 2010 = $500m forecast Mainly high-frequency high-power amplifiers (HEMTs)...

Newcastle University

Newcastle University

Over the years, the following public lectures have been given as part of the Sterling Group lecture tours. 2013:  Vietnam Engineering...

Bóng đá tổng lực là gì? Liệu còn hiệu quả ở thế kỷ 21

Bóng đá tổng lực là gì? Liệu còn hiệu quả ở thế kỷ 21

Bóng đá tổng lực là gì? Bước vào thế kỷ 21, bóng đá không chỉ đơn thuần là trò...

Domestic and Office Lighting

Domestic and Office Lighting

Domestic and Office Lighting Tomorrow White light LEDs? Mix red, green and blue LEDs Use white phosphor on a...